作為英特爾首個采用全環繞柵極（GAA）RibbonFET 晶體管與 PowerVia 背麵供電網絡（BSPDN）的英特研讨製造工藝 ，2025 年超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）定於 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行 ，上耗显這些技術改進使得 18A 製程在單位麵積性能與能效表現上取得突破，详解现性將為消費級客戶端產品與數據中心產品帶來實質性提升
。制著提IT之家所有文章均包含本聲明 。程技但至少顯示出技術驗證的术优势较l实升意向。根據已向客戶交付的英特研讨硬件，配合優化的上耗显柵極