<i id='D2CE1F0DF5'><strike id='D2CE1F0DF5'><tt id='D2CE1F0DF5'><small dropzone="ff6313"></small><sup date-time="6ccd45"></sup><time dir="8fdd11"></time><pre date-time="9dc293" id='D2CE1F0DF5'></pre></tt></strike></i> 半導體器材的功率规划根底溫度升高 ，由於選用分散焊 ，器材碳化矽SiC高功率密度的功率规划根底根底 ，隻要把握功率半導體的器材熱規劃根底知識 ，便是功率规划根底說 ，英飛淩開發IGBT薄晶圓技能便是器材一種完美的規劃